6 de febrero de 2017
El Laboratorio de Espectroscopía Raman y Fotoluminiscencia se centra en el estudio de las propiedades ópticas de materiales semiconductores. Entre otros, hemos llevado a cabo estudios de dispersión Raman en una variedad de sistemas de compuestos III-V como GaN, InN, InGaN, InAs/GaAs, InGaAs, InP, AlGaSb, InAsSb, GaSb, GaAsN, así como en ZnO, un material de banda prohibida amplia II-VI que se investiga intensamente debido a sus posibles aplicaciones en electrónica transparente y en emisores de luz azul y UV.
Instalaciones
Espectrómetro Raman triple Jobin-Yvon T64000 con capacidades para mediciones de PL y PLE:
- Longitud focal de 640 mm: resolución espectral de 0.7 cm-1
Detector CCD: detector de alta sensibilidad, bajo ruido
Configuración micro-Raman confocal: resolución lateral de aproximadamente 1 um
Criotato: para mediciones a baja temperatura en configuración de macrocámara
Criopreparador de liofilización: para mediciones de micro-Raman que se realizarán desde la temperatura del nitrógeno líquido hasta 600 ºC
Espectrómetro único Horiba Jobin-Yvon FHR1000 dedicado a mediciones de PL:
- Longitud focal de 1000 mm
- Detector CCD: detector de alta sensibilidad, bajo ruido
- Detector InGaAs para detección NIR
Configuración de alta precisión:
- Célula de yunque de diamante
- Microperforadora
Fuentes de excitación:
- Láser de Ar+: 25 W (9W en UV)
- Láser de tinte
- Láser de Ti: zafiro
- Láser de He-Cd: 50 mW
- Láser de He-Ne: 30 mW
Información
- Director científico: Ramon Cuscó
